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GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非

  • 文件大小:未知
  • 文件类型:国家标准
  • 标准语言:简体标准
  • 授权形式:免费标准
  • 文件类型:PDF格式
  • 安全检测:瑞星、江民、卡巴、可牛:安全
  • 更新时间:2011-04-10
  • 下载次数
  • 标签电阻率非接触涡流法半导体硅片

资料介绍

标  准  编  号:GB/T 6616-2009  
简体中文标题:半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 
繁體中文標題:半導體矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法 
English Name:Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

标准简介:
本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm~1mm 的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。

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